1500V 高壓 MOS 分立器件 ◆導通電阻低； ◆開(kāi)關(guān)速度快； ◆雪崩耐量高； 了解更多
RC (逆導) IGBT 分立器件 ◆IGBT/FWD集于同一芯片； ◆通態(tài)壓降低； ◆可靠性高； ◆成本低； 了解更多
M3i-低飽和壓降型 IGBT 分立器件 ◆采用Trench+Fieldstop技術(shù)； ◆軟開(kāi)通特性，開(kāi)通 di/dt 小，EMI 低； ◆低飽和壓降，導通損耗??； ◆關(guān)斷拖尾電流小，軟關(guān)斷特性； ◆正溫度系數，適合并聯(lián)； ◆高的短路電流能力(6us以上)； ◆開(kāi)關(guān)速度快，開(kāi)關(guān)損耗??； ◆TVj max 達175℃； 了解更多
GTU-快速型 IGBT 分立器件 ◆采用Trench+Fieldstop技術(shù)； ◆軟開(kāi)通特性，開(kāi)通 di/dt 小，EMI 低； ◆關(guān)速度快，關(guān)損耗小 ◆關(guān)斷拖尾電流小，軟關(guān)斷特性； ◆正溫度系數，適合并聯(lián)； ◆高的短路電流能力(6us以上)； ◆開(kāi)關(guān)速度快，開(kāi)關(guān)損耗??； ◆TVj max 達175℃； 了解更多
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展會(huì )回顧丨2024慕尼黑上海電子展完… 2024年7月8日-7月10日，為期三天的2024年慕尼黑電子展（electron… 2024-07-11 了解更多
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